超聲波對等離子體電解氧化陶瓷層強化的影響
文章出處:正航儀器
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發(fā)表時間:2014-04-25
超聲波是頻率在人耳聽覺范圍上限(16kHz-20kHz)以上的聲波,超聲波因其頻率高、方向性強、穿透本領(lǐng)大,尤其是在液體中能產(chǎn)生空化現(xiàn)象等特點,已被廣泛應(yīng)用到許多領(lǐng)域。超聲波應(yīng)用技術(shù)甚多,主要分為檢測超聲、醫(yī)學超聲、聲表面波、功率超聲及高頻超聲等。
聲波在固體中最易傳播,對傳播途經(jīng)的物質(zhì)質(zhì)點產(chǎn)生應(yīng)力作用,反復發(fā)生疏密變化。當某處的應(yīng)力超過該處質(zhì)點群間的結(jié)合強度時,必將發(fā)生微結(jié)構(gòu)破壞產(chǎn)生缺陷。在一般PEO電源和電解液條件下,通過引入超聲波微振動不斷誘發(fā)較高密度的動態(tài)平衡微缺陷,將會降低生長過程中陶瓷層的臨界能速,節(jié)約擊穿能耗;高密度彌散分布的動態(tài)平衡微缺陷,也將延長均勻放電階段,提高陶瓷層致密性與生長速度。電場能使金屬-氧鍵弱化或斷裂引發(fā)放電擊穿,對于那些單靠電場不足以斷鍵引發(fā)放電擊穿的區(qū)域,微振動與電場的疊加將促進此處發(fā)生擊穿,也會產(chǎn)生以上有利效應(yīng)。已有缺陷處的應(yīng)力集中更有利于附近區(qū)域誘發(fā)新缺陷。本文研究超聲波場對等離子體電解氧化陶瓷層強化的影響技術(shù),在前期研究的基礎(chǔ)上,通過嘗試性實驗研究其對等離子體電解氧化的影響。
一、超聲波對陶瓷層相組成的影響
引入超聲波技術(shù)后硅酸鈉體系PEO陶瓷層的X射線衍射譜如圖3-36(b)??梢姡c未引入超聲波技術(shù)時硅酸鈉主體系的X射線衍射譜(圖3-36(a))相比,Al-Si-O化合物相的含量增多,并且由Al6Si2O13相變成Al2SiO5相。
二、超聲波對陶瓷層表面形貌的影響
硅酸鈉體系中引入超聲波技術(shù)的PEO陶瓷層表面形貌如圖3-37所示。可見,在不添加任何第二相粒子、無機添加劑的情況下,PEO陶瓷層表面出現(xiàn)了許多細小顆粒,且顆粒之間相互堆積,但是較大顆粒較少。與未引入超聲波技術(shù)時硅酸鈉體系的PEO陶瓷層表面形貌(如圖3-38)截然不同。
分析認為,超聲波技術(shù)雖然對等離子體電解氧化陶瓷層的相組成的變化沒有貢獻,卻因其能夠產(chǎn)生可釋放強大能量的空化效應(yīng),對電解液起到了很強烈的攪拌作用,因而一定程度上改變了陶瓷層的表面形貌。圖3-37中陶瓷層表面沉積的細小顆粒也證明了此點。http://www.2sdd.com
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